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AN1L4Z


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
el AN1L4Z es un transistor de silicio PNP, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: conmutador, Rb 47kOhm integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para AN1L4Z
OEM:Nippon Elect... [más]
Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
Paquete: TO-92
Hoja de datos (jpg):-
Hoja de datos (pdf):-
OEM Hoja de datos:-
Tipo complementario:AA1L4Z
Lista de tipos similares: ↑DTA144TS, [más]
DTA144TS,KSR2012,UN4110,2SA1509
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AN1L4Z


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
el AN1L4Z es un transistor de silicio PNP, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: conmutador, Rb 47kOhm integrado
Foto: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para AN1L4Z
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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Tipo complementario:AA1L4Z
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DTA144TS,KSR2012,UN4110,2SA1509
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AN1L4Z


SI PNP transistor
GFX
UCE/UCB -50/-60V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 250mW
fT -
TJ -
el AN1L4Z es un transistor de silicio PNP, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: conmutador, Rb 47kOhm integrado
Foto: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Información avanzada para AN1L4Z
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Nippon Electric Comp. Ltd. NEC, Japan
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Tipo complementario:AA1L4Z
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DTA144TS,KSR2012,UN4110,2SA1509
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

KSR2012


SI PNP transistor
similar a AN1L4Z ver nota
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
el KSR2012 es un transistor de silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: datasheet
Tipo similar: KSR2012
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
Paquete: TO-92
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KSR2012


SI PNP transistor
similar a AN1L4Z ver nota
GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
el KSR2012 es un transistor de silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: datasheet
Tipo similar: KSR2012
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
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KSR2012


SI PNP transistor
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GFX
UCE/UCB -40/-40V
IC -0.1A
hFE 100-600
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ 150°C
el KSR2012 es un transistor de silicio PNP, Uce = 40V, Ic = 100mA, d´application: resistencia de polarización integrada, conmutación
Foto: -
Fuente: datasheet
Tipo similar: KSR2012
OEM:Samsung Elec... [más]
Samsung Electronics CO. LTD.
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UN4110


SI PNP transistor
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GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
el UN4110 es un transistor de silicio PNP, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: Rb 47kOhm integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: UN4110
OEM:Matsushita D... [más]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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UN4110


SI PNP transistor
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GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
el UN4110 es un transistor de silicio PNP, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: Rb 47kOhm integrado
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Tipo similar: UN4110
OEM:Matsushita D... [más]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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UN4110


SI PNP transistor
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GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 80MHz
TJ -
el UN4110 es un transistor de silicio PNP, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: Rb 47kOhm integrado
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Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: UN4110
OEM:Matsushita D... [más]
Matsushita Denshi Kogyo Co., Japan
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Nota:un tipo similar no siempre es un tipo de reemplazo, por favor revise los requisitos de la aplicación cuidados. antes se utiliza para reemplazo

2SA1509


SI PNP transistor
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GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
el 2SA1509 es un transistor de silicio PNP, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: conmutador, Rb=47kOhm integrado
Foto: -
Fuente: Jaeger electronic catalog...... [más]
Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: 2SA1509
OEM:Tokyo Sanyo... [más]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
Paquete:-
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Tipo complementario:2SC3899
Lista de tipos similares: ↑AN1L4Z, [más]
AN1L4Z,DTA144TS,KSR2012,UN4110
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2SA1509


SI PNP transistor
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GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
el 2SA1509 es un transistor de silicio PNP, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: conmutador, Rb=47kOhm integrado
Foto: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: 2SA1509
OEM:Tokyo Sanyo... [más]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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Tipo complementario:2SC3899
Lista de tipos similares: ↑AN1L4Z, [más]
AN1L4Z,DTA144TS,KSR2012,UN4110
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2SA1509


SI PNP transistor
similar a AN1L4Z ver nota
GFX
UCE/UCB -50/-50V
IC -0.1A
hFE -
Ptot 300mW
fT 200MHz
TJ -
el 2SA1509 es un transistor de silicio PNP, Uce = 50V, Ic = 100mA, d´application: conmutador, Rb=47kOhm integrado
Foto: -
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Jaeger electronic catalog 1999
Tipo similar: 2SA1509
OEM:Tokyo Sanyo... [más]
Tokyo Sanyo Electric Co. Ltd. Japan
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Hoja de datos (jpg):-
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Tipo complementario:2SC3899
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AN1L4Z,DTA144TS,KSR2012,UN4110
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